為什么在逆變焊機(jī)中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！
使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆變焊機(jī)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT逆變焊機(jī)，實(shí)現(xiàn)更高的逆變焊機(jī)焊接質(zhì)量，更小的逆變焊機(jī)體積重量！更低的逆變焊機(jī)成本！
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本半導(dǎo)體的SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略能夠滿足所有關(guān)鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導(dǎo)體多樣化的晶圓和采購(gòu)網(wǎng)絡(luò)（BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有晶圓廠及與代工廠相結(jié)合，BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有封裝廠與代工相結(jié)合）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體Z全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統(tǒng)理解、與Z廣泛的汽車、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體工業(yè)和可再生能源客戶的合作，以及未來可根據(jù)實(shí)際市場(chǎng)需求進(jìn)行擴(kuò)展的Z佳成本彈性生產(chǎn)足跡，正是這些獨(dú)特的因素，使BASiCSEMI基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件業(yè)務(wù)在未來的發(fā)展中不斷取得成功。
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類逆變焊機(jī)，比如氣體保護(hù)焊，如氬弧焊、二氧化碳?xì)怏w保護(hù)焊，手工弧焊等。
傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
逆變焊機(jī)是指采用逆變技術(shù)的弧焊電源，它將交流電先整流成直流電，再通過大功率開關(guān)元件的交替開關(guān)作用（使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流），逆變成幾K赫茲甚至幾百K赫茲的高頻交流電，經(jīng)過變壓器降壓后輸出給電極和工件，形成高頻脈沖電弧的焊機(jī)。
逆變焊機(jī)相比直流焊機(jī)具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.體積小、重量輕、節(jié)約制造材料，便于攜帶和移動(dòng)。
2.能效高、節(jié)能環(huán)保、降低用電成本。
3.動(dòng)態(tài)特性好、控制靈活、可實(shí)現(xiàn)多種焊接模式和參數(shù)調(diào)節(jié)。
4.輸出電壓、電流的穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、適應(yīng)電網(wǎng)波動(dòng)。
5.焊接效果好、飛濺小、熔深大、變形小、適用于各種金屬材料和位置的焊接。
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET可有效的減少逆變焊機(jī)變壓器、濾波電感、電容以及散熱器，電抗等成本，有效降低逆變焊機(jī)體積和成本。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET提高逆變焊機(jī)頻率從而提高弧焊電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，促進(jìn)焊接工藝的精細(xì)靈活，提升焊接質(zhì)量。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持Z高結(jié)溫低于Z大規(guī)定值。
未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。
針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。
B3M040120Z是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的Z新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。
BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使Z終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET覺對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。
傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！
